MOS管被击穿的原因及解决方案如下： 、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操..

MOS管失效的原因如下： 1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。 2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。 3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受..

1、结型场效应管的管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，..

场效应管是一种三端器件，它使用电场来控制流过器件的电流，它还具有高输入阻抗，这在许多电路中都很有用。场效应管是电子工业的关键有源器件。在许多电路中使用的场效应管由分立元件构成，从RF技术到功率控制和切换到一般放大。 然而，场效应管的主要用途是在集成电路内。在这种应用中，场效应管电路仅能消耗非常小的功率，这使得巨大的超大规模集成电路能够快速工作。如果使用双极技术，则功耗将高出几个数量级，并且产生的功..

场效应管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点被广泛应用于电子行业，那么场效应管的名词对照是什么呢？ Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止..

场效应管具有如下特点，与双极型晶体管相比。（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起..

场效应管的额定电流是否就是使场效应管熔断的电流？ 不是。应该仅将它看成是一种规格的标称，而流过场效应管的电流大到何种地步、何时熔断这在场效应管产品标准中对它有详细的规定，又因标准的不同而规定有所不同。场效应管有一个"熔断系数"其值大于"1"（一般在1.1至1.5之间），它是"常规不熔断电流"与"额定电流"的比值。由此可..

场效应晶体管是用载流子实现导电的半导体元器件，依据电流的磁效应用输入电压来调节电子管的输出电流的一种半导体元器件，也被叫做场效应管。 场效应管的分类 场效应管有结型、绝缘栅型。结型主要是是有2个PN。绝缘栅型主要是是栅极与别的是有绝缘性的，目前MOS场效管（归入绝缘栅型）使用的比较多。 场效管的基本参数 1、饱和漏源电流。 2、夹断电压。 3、开启电压。 4、跨导。 5、漏源击穿电压。 6、耗散功..