Si5856DC-T1-GE3_AO4944导读 它们有今时今日的成功，创始人功不可没。为公司命名时创始人融入了他们对过去的缅怀、对未来的期望，一个简单的名字，它的背后承载着许多不为人知的故事……。电子行业中有许多的知名品牌，每一个品牌就如同人名，其来源与命名都带有各自独特的风格。 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通..

NTHD4502NT1G_AO4854导读 尽管高分辨率技术目前在音频市场上才刚刚起步，但其演变已然展开。。VentureCraft是在这方面打头阵的一家公司，其在高分辨率便携式放大器、音乐播放器和头戴耳机放大器(包括广受欢迎的SounDroid Vantam产品线)研发领域处于领先水平。 而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会..

MC3835_AO4842导读 而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2 ppm..

MC3630_AO4840&特30V导读 NCE80H12此类MOS管在电动车正常运转时把电池里的直流电转换为交流电，从而带动电机运转。 所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。 IRF8915TRPBF 图四类MOSFET和它们的图形符号。 。功率MOSFET普通很少选用P沟道，由..

MC3602_AO4822A导读 尽管高分辨率技术目前在音频市场上才刚刚起步，但其演变已然展开。。VentureCraft是在这方面打头阵的一家公司，其在高分辨率便携式放大器、音乐播放器和头戴耳机放大器(包括广受欢迎的SounDroid Vantam产品线)研发领域处于领先水平。 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等..

ECH8656_AO4822导读 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。 SSF2816E Felix Zandman经历了大屠杀，失..

ECH8653_AO4818B导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。 SI6926DQ-T1..

ECH8602M_AO4818导读 根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。 尽管高分辨率技术目前在音频市场上才刚刚起步，但其演变已然展开。。VentureCraft是在这方面打头阵的一家公司，其在高分辨率便携式放大器、音乐播放器和头戴耳机放大器(包括广受欢迎的SounD..

AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF导读 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。 APM7313KC-TRL..

US6K4_4232BGM导读 NCE80H12此类MOS管在电动车正常运转时把电池里的直流电转换为交流电，从而带动电机运转。 而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势，与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续品质和稳定供货。 TPCF8A01 Felix Zandman在他的回忆录中写道，“很多人认为这个名称听上去很古怪，但是对于我来说..

US6K2_ZXMN3G32DN8TC导读 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 它们有今时今日的成功，创始人功不可没。为公司命名时创始人融入了他们对过去的缅怀、对未来的期望，一个简单的名字，它的背后承载着许多不为人知的故事……。电子行业中有许多的知名品牌，每一个品牌就如同人名，其来源与命名都带有各自独特的风格。 ..

NTJD4401NT1G_TPC8212-H导读 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。 AM6968N-T1-PF M..

NTJD4001NT2G_TPC8209导读 这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。 简单来说电机是靠NCE80H12这种MOS管的输出电流来驱动的，输出电流越大（为了防止过流烧坏MOS管，控制器有限流保护），电机扭矩就强，加速就有力，所以MOS管在电动车控制器..

NTJD4001NT1G_TPC8201导读 所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平..

MCH6662_SUF1002导读 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一..

FDG6317NZ_STS4DNF30L导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型——。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。功率半导..

FDG6304P_STS2DNF30L导读 它们有今时今日的成功，创始人功不可没。为公司命名时创始人融入了他们对过去的缅怀、对未来的期望，一个简单的名字，它的背后承载着许多不为人知的故事……。电子行业中有许多的知名品牌，每一个品牌就如同人名，其来源与命名都带有各自独特的风格。 MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的..

FDG6301N_STM6912导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工..

BSD840N_SSG4920N导读 根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。 所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。 FTD2011 至于为什么不使用耗尽型的M..

NCE60NP2012K找NCE代理商上深圳百域芯 NCE60NP2012K NCE603AS NCE603AS NCE01NP03S NCE01NP03S NCE07TD60BF NCE07TD60B NCE07TD60BD NCE07TD60BK NCE07TD60BI NCE10TD60B NCE10TD60BD NCE10TD60BF NCE10TD60BK NCE15TD60D NCE1..