NTHD4508NT1G

发布时间:2021/9/15

NTHD4508NT1G_AO4882&特30V导读

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出温度系数(TCR)低至 2
ppm/K,0603、0805和1206外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。

除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外,南山电子还提供风华阻容感,长晶二三极管MOS管,爱普生有源无源晶振等。


NTHD4508NT1G_AO4882&特30V


CEM3258

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404


NTHD4508NT1G_AO4882&特30V


SUM6K1N

当外加正向电压增大时,非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大,外加电压减小时,变化相反。该现象中电荷积累和释放的过程与电容器充放电过程相同,称为扩散电容。扩散电容:当外加正向电压时,靠近耗尽层交界面的非平衡少子浓度高,远离非平衡少子浓度低,且浓度自高到底逐渐衰减直到0。

MOS管寄生电容结构如下,其中,多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS

为了抑止MOSFET的载流才华太小和导通电阻大的难题,在大功率MOSFET中一般选用两种技能,一种是将数百万个小功率MOSFET单胞并联起来,前进MOSFET的载流才华。别的一种技能就是对MOSFET的结构间断改进,选用一种笔直V型槽结构。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。

NTHD4508NT1G_AO4882&特30V


。MOS管NCE3401是一款-30V漏源电压,4.2A电流,SOT-23封装的P沟道MOS管。

而锂电池保护板的主要作用:1过充电保护, 2短路保护, 3过电流保护,4过放电保护,
5正常状态。


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