PMGD280UN_TPC8221-H导读

除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。

今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。

IRF8915TRPBF

势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，较终使扩散运动达到平衡）；。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B
。

SI4330DY-T1-E3

一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上，沟道不能做得很短，沟道电阻大。图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所，缘由是两个方面的。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的，沟道电流是外表电流，要加大电流容量，就要加大芯片面积，这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。

可变电阻区（UDS
在这个区域内，UDS增加时，ID线性增加。截止区（UGS）。在导电沟道挨近夹断时，增长变缓。图MOS管的漏极输出特性场效应晶体管的输出特性能够划分为四个区域：可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区。在低UDS分开夹断电压较大时，MOS管相当于一个电阻，此电阻跟着UGS的增大而减小。

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP
NCE25TD120LP 。

电动车锂电池能正常工作，很大程度上得益于锂电池保护板。

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