NCE3400E_NCEP30T12G导读

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。

MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。

NCE1520K

。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。

该公司创始人Felix Zandman是一位科学家、发明家和企业家，拥有71项专利，写过四本书和许多论文，曾获得美国电子工业荣誉奖章，法国荣誉勋章等众多奖项。Vishay由Felix Zandman博士在1962年创立，以他自己的4千美元积蓄和其表兄Alfred P. Slaner的资助起家，不断发展成为纽约证券交易所上市的“财富1000 强企业”。。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。

NCEP85T25VD

NCE2012 NCE20H10G NCE20H11 NCE3406N NCE2014ES 。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

这两个因素使Vishay的MELF电阻成为具有低噪声要求的高端音频应用的选择。Vishay的MELF电阻生产运用先进的真空溅射工艺，在超高真空室内，在十分光滑的铝衬底上沉积一层具有极高微观结构质量的专有镍铬合金。这种精密内部结构为低噪声性能奠定了理想基础，而电阻的圆柱形状又进一步增强了低噪声性能。凭借在相同焊盘尺寸下比扁平片式电阻大3.14倍的表面积，这些器件可产生高很多的纵横比，进而导致沿着电阻的场强非常低。要知道，局部电场强度是产生电流噪声的主要来源。与厚膜电阻相比，通常可提供约-40 dB V/Hz的频谱密度改善，这个数字在薄膜电阻情况下约为-10 dB V/Hz，如图2所示。

而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。

电芯相当于锂电池的心脏，而锂电池保护板主要由保护芯片（或管理芯片）、MOS管、电阻、电容和PCB板等构成。

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