NCE3013J_NCEP30T19G导读

这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。

所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。

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NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

该公司创始人Felix Zandman是一位科学家、发明家和企业家，拥有71项专利，写过四本书和许多论文，曾获得美国电子工业荣誉奖章，法国荣誉勋章等众多奖项。Vishay由Felix Zandman博士在1962年创立，以他自己的4千美元积蓄和其表兄Alfred P. Slaner的资助起家，不断发展成为纽约证券交易所上市的“财富1000 强企业”。。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。

在不见天日的17个月里，Zandman的叔叔教他代数、三角、几何和物理。Zandman于1928年生于波兰，在二战纳粹大屠杀期间，Zandman外婆曾经救助过的老管家收留了Zandman，他和其他四个人在管家家的地板下躲藏了17个月，才得以逃过了大屠杀。1956年，Zandman移居到美国，并在1962年创办了Vishay。。可以说，在那段较黑暗的日子里Zandman学习掌握的知识为他开创Vishay奠定了基础。战后，Zandman移民到法国，获得机械工程、应用机械和普通物理的学位，在巴黎的Sorbonne大学获得机械物理的博士学位。

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这两个因素使Vishay的MELF电阻成为具有低噪声要求的高端音频应用的选择。Vishay的MELF电阻生产运用先进的真空溅射工艺，在超高真空室内，在十分光滑的铝衬底上沉积一层具有极高微观结构质量的专有镍铬合金。这种精密内部结构为低噪声性能奠定了理想基础，而电阻的圆柱形状又进一步增强了低噪声性能。凭借在相同焊盘尺寸下比扁平片式电阻大3.14倍的表面积，这些器件可产生高很多的纵横比，进而导致沿着电阻的场强非常低。要知道，局部电场强度是产生电流噪声的主要来源。与厚膜电阻相比，通常可提供约-40 dB V/Hz的频谱密度改善，这个数字在薄膜电阻情况下约为-10 dB V/Hz，如图2所示。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

TNPU e3系列器件TCR低至 2 ppm/K，外形尺寸分别为0603、0805和1206，阻值从500 到20 k。

而锂电池保护板的主要作用：1过充电保护， 2短路保护， 3过电流保护，4过放电保护， 5正常状态。

MOS管NCE3401是一款-30V漏源电压，4.2A电流，SOT-23封装的P沟道MOS管。。

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