NCEB301Q_NCE15P25JI导读

今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。

日前发布的电感器特别适合用于2 MHz以下DC/DC 转换器能量存储，以及电感器自谐振频率（SRF）以下大电流滤波。该器件的应用包括笔记本电脑、台式电脑以及服务器；小型大电流电源；POL转换器；电池供电设备；分布式电源系统和 FPGA。

NCE2012

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。

NCE6080K匹配KIA产品3306，KIA MOS管3306共有A和B两个规格书。下文会介绍3306和NCE6080K两个MOS管具体参数、封装与规格书等。

Felix Zandman经历了大屠杀，失去了至亲，在漆黑的地下、在死亡阴霾中生活了17个月，他却并未因此一蹶不振，他在苦难中坚强，以他的个人才华创办了Vishay，在电子元器件行业乃至科技发展史上留下浓重的一笔。2004年 财富杂志选择Vishay作为美国较令人钦佩的公司之一。今天Felix Zandman博士写的物理书在很多大学作为基础教材使用，他的自传被译成中文和其他很多种语言。。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

NCEP18N10AG

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

Vishay的MELF电阻生产运用先进的真空溅射工艺，在超高真空室内，在十分光滑的铝衬底上沉积一层具有极高微观结构质量的专有镍铬合金。凭借在相同焊盘尺寸下比扁平片式电阻大3.14倍的表面积，这些器件可产生高很多的纵横比，进而导致沿着电阻的场强非常低。与厚膜电阻相比，通常可提供约-40 dB V/Hz的频谱密度改善，这个数字在薄膜电阻情况下约为-10 dB V/Hz，如图2所示。这种精密内部结构为低噪声性能奠定了理想基础，而电阻的圆柱形状又进一步增强了低噪声性能。这两个因素使Vishay的MELF电阻成为具有低噪声要求的高端音频应用的选择。要知道，局部电场强度是产生电流噪声的主要来源。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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