NCE6020A_NCEP85T16D导读

作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。

针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。

2N7002DW

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。

NCE80TD65BT NCE80TD65BP NCE60TD120UT NCE75TD120BT NCE75TD120VT 。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。

NCEP070N12D

KIA半导体一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。

NCE6080K产品特点 VDS=60V,ID =80A RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V 超低RDSON高密度电池设计 稳定性好，均匀性好，EAS高 良好的散热包装。

NCE3416 NCE2010E NCE2006NE NCE8804 NCE8651Q 。

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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