NCE30H11G

发布时间:2021/7/19

NCE30H11G_NCEP40T17A导读

台积电是只有代工,没有自己品牌IC产品的。三星和英特尔都有自己品牌的IC产品,但也为其它企业代工。世界上也有一些IC企业,在特定的行业里市场占有率高,而IC工厂的制程工艺并不高,成本也不高,这些企业是不用给别家代工的,自己生产自己设计的IC就够。

而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管,其实内部由成千上万个小mos管并联而成,大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧,其实真没那么容易,目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。


NCE30H11G_NCEP40T17A


NCE15TD135LT

NCEB301G NCE3065G NCE30H14K NCE3095K NCE3065Q 。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

NCE75TD120WT NCE50TD120BP NCE50TH120BP NCE50TD120BT NCE50TD120VT 。


NCE30H11G_NCEP40T17A


NCEP40P80K

MOS管3306产品主要参数漏源极电压:60V 栅源电压:±25V 连续漏电流:80A/60A 脉冲漏电流:300A 雪崩电流:21.5A 雪崩能量:462.25MJ。

一般特征 ● V DS = 30V,I D = 95A R DS(ON) <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS(ON) <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度电池设计,超低Rdson ● 全面表征雪崩电压和电流 ● 良好的稳定性和均匀性高? AS ● 出色的封装,散热效果好。

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

NCE2012 NCE20H10G NCE20H11 NCE3406N NCE2014ES 。

NCE30H11G_NCEP40T17A


电芯相当于锂电池的心脏,而锂电池保护板主要由保护芯片(或管理芯片)、MOS管、电阻、电容和PCB板等构成。

而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。


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