BYJ6653_AP9960M导读

这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。

功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal
Oxide Semiconductor）。根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型——。

SI4228DY-T1-E3

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104
BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

。MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。

但在结构上，它们之间相差很大，为了更好天文解功率MOSFET的机理，首要来回想一下小功率场效应管的机理。
。以下以N沟道增强型小功率MOSFET的结构来说明MOS管的原理。功率mos管工作原理 功率MOS管是从小功率MOS管展开来的。

SI9936BDY-T1-E3

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS
。

BYN31028Z BYN31024A BYG31013A BYN31095 BYJ31040
BYM31013A BYH31015-X BYH31015 BYS31030 BYF31040 。

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020
BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。

N沟道增强型MOS管是把一块低掺杂的P型半导体作为衬底，在衬底上面用分散的方法构成两各重掺杂的N＋区，然后在P型半导体上生成很薄的一层二氧化硅绝缘层，然后在两个重掺杂的N+区上端用光刻的方法刻蚀掉二氧化硅层，暴露N+区，较终在两个N+区的外表以及它们之间的二氧化硅外表用蒸腾或者溅射的方法喷涂一层金属膜，这三块金属膜构成了MOS管的三个电极，分别称为源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。

NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT
NCE40TD135LT 。

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

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