BYS338

发布时间:2021/10/9

BYS338_SI4920DY-T1-E3导读

功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal
Oxide Semiconductor)。根据不通电情况下反型层是否存在,MOS管可分为增强型、耗尽型——。

今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。


BYS338_SI4920DY-T1-E3


BYF38085A

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104
BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B

至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N


BYS338_SI4920DY-T1-E3


SP8K5-TB

在低UDS分开夹断电压较大时,MOS管相当于一个电阻,此电阻跟着UGS的增大而减小。截止区(UGS)。在导电沟道挨近夹断时,增长变缓。图MOS管的漏极输出特性场效应晶体管的输出特性能够划分为四个区域:可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区。
可变电阻区(UDS 在这个区域内,UDS增加时,ID线性增加。

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018
BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。

别的一种技能就是对MOSFET的结构间断改进,选用一种笔直V型槽结构。为了抑止MOSFET的载流才华太小和导通电阻大的难题,在大功率MOSFET中一般选用两种技能,一种是将数百万个小功率MOSFET单胞并联起来,前进MOSFET的载流才华。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。

BYS338_SI4920DY-T1-E3


MOS管NCE3401是一款-30V漏源电压,4.2A电流,SOT-23封装的P沟道MOS管。。

而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。


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