BYH323_ME4970导读

这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。

MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。

ME9926A

功率MOSFET普通很少选用P沟道，由于空穴的迁移率比电子的迁移率低，相同的沟道尺寸，P沟道的晶体管比N沟道的导通电阻大。
。依照导电沟道和沟道构成的过程两点来分类，MOS管能够分为：P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。图四类MOSFET和它们的图形符号。

BYC4322 BYM4310 BYM4322 BYM4316 BYC4312 BYM438 BYS441
BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A
BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备
3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。

ZXMN3G32DN8TC

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

在低UDS分开夹断电压较大时，MOS管相当于一个电阻，此电阻跟着UGS的增大而减小。截止区（UGS）。在导电沟道挨近夹断时，增长变缓。图MOS管的漏极输出特性场效应晶体管的输出特性能够划分为四个区域：可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区。
可变电阻区（UDS 在这个区域内，UDS增加时，ID线性增加。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826
BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018
BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP
NCE25TD120LP 。

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