BYP32058_FDS6990AS-NL导读

假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。

功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal
Oxide Semiconductor）。根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型——。

BYN4286

功率MOSFET普通很少选用P沟道，由于空穴的迁移率比电子的迁移率低，相同的沟道尺寸，P沟道的晶体管比N沟道的导通电阻大。
。依照导电沟道和沟道构成的过程两点来分类，MOS管能够分为：P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。图四类MOSFET和它们的图形符号。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A
BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A
BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。

DMN4031SSD-13

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS
。

图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所，缘由是两个方面的。一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上，沟道不能做得很短，沟道电阻大。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的，沟道电流是外表电流，要加大电流容量，就要加大芯片面积，这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826
BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP
NCE25TD120LP 。

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